为此，自行本文训练卷积神经网络(CNN)来根据不同的衍射图案对不同的相位进行分类，自行并使用结果来构造适应度函数，使得被分类为目标相位的可能性较高的配置将以较高的适应度得分。

两个电阻峰的出现可以用两个畴的共存来解释，国永每个峰对应每个畴的构型。第二，不磨TMDs由于具有谷自由度的紧束缚激子形成而表现出非凡的丰富光学性质。

在正向与反向扫描之间，记忆电荷中和点处的电阻峰有ΔVB/dB=0.018Vnm-1的偏移，其中VB为底栅电压，dB为底介质总厚度。铁电极化会在石墨烯中诱导额外的电荷载流子，自行因此，在场致极化反转过程中出现了电阻峰的偏移。图3 电场对极化的依赖性 ©2022SpringerNature图4R层叠双层TMD中内置层间电位的估算及与理论的比较 ©2022SpringerNature[结论与展望]综上所述，国永本工作报道了一类新的纳米厚度的二维铁电半导体二硫化物(R堆叠双层TMD)。

器件WSe2 d1(大致0.30 V nm-1,图3c)的矫顽场大于平行堆叠双层BN器件的矫顽场，不磨这可能是由于R堆叠双层TMDs中反极化态与较小极化态之间的能垒较高所致(图4)。这表明在单畴器件中很难实现铁电极化反转，记忆而由皱纹、裂纹和气泡导致的预先存在的畴壁钉扎对于极化反转的影响更为重要。

仅在底栅扫描中出现滞回现象，自行表明滞回起源于底栅和石墨烯之间的R层WSe2。

国永相关论文以题为Interfacialferroelectricityinrhombohedral-stackedbilayertransitionmetaldichalcogenides发表在NatureNanotechnology上。在可降解金属表面修饰仿生的聚多巴胺(PDA)涂层可以增强基体的耐腐蚀性能，不磨同时也有利于其他功能化涂层，如可载药的聚乳酸(PLGA)的后续修饰。

如图4所示，记忆Zn/UVPDA/PLGA结构在长期的浸泡实验中仍然保留了较完整的连接包覆结构，产生的腐蚀产物[Zn5(OH)6(CO3)2/Zn3(PO4)2]的量也少于其他组。PLGA涂层剥落导致锌的不均匀腐蚀，自行大量腐蚀产物可能导致应力屏蔽效应，从而提高强度。

本研究成果有望应用于可降解金属表面功能化修饰的设计制造中，国永将促进新一代可降解血管支架医疗器械的开发。不磨在原子力显微镜观察下发现的微凸起实际应为在Zn衬底上沉积了一层平整聚多巴胺涂层后在溶液浸涂过程中由于高粘性而再次吸附于表面的聚多巴胺纳米球。